它的工作原理是，在执行了初始的页写入命令序列之后，控制器可以通过发送 "Change Write Column" 命令来改变后续数据写入的开始位置。这样的话，就可以在之前写入的位置继续写入新的数据。

请注意，不是所有的NAND Flash都支持这个功能，NAND Flash的子页写入方式通常与制造商的设计和规格相关。此外，该操作可能需要一个特定的命令序列，并且写入操作可能遵循非常精确的时序要求。

以下是一个 "Change Write Column" 操作的伪代码示例。为了实现这种操作，你将需要知道相关的命令代码和至少列地址的宽度。这些信息可以在NAND Flash的数据手册中找到：

#define CHANGE_WRITE_COLUMN_COMMAND 0x85 // 示例命令码，请根据实际数据手册设置

void change_write_column(int column_address) {
    // 发送 Change Write Column 命令到NAND Flash
    send_nand_command(CHANGE_WRITE_COLUMN_COMMAND);

    // 发送列地址（假设16位宽度）
    send_nand_address((column_address) & 0xFF); // 发送低8位
    send_nand_address((column_address >> 8) & 0xFF); // 发送高8位

    // 等待设备准备好
    wait_for_device_ready();

    // 写入数据到新的列地址
    write_data_to_nand(data_buffer, num_bytes_to_write);
}

// 执行 Change Write Column 操作
change_write_column(new_column_address);

需要特别注意的一点是，一旦页面的任何部分被编程（写入），就不能再次编程相同的部分，除非整个块被擦除。这是由NAND Flash的物理特性所决定的，要进行编程的单元需要在编程前处于擦除（即全部为1）的状态。因此，Change Write Column 通常用于连续写入一个新页面的不同部分，而不是重写既有数据。